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2023 年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)2為led精英斬獲殊榮
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時(shí)間：2024-06-25 18:18:19
在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)今時(shí)代，國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)作為我國(guó)科技領(lǐng)域的盛事，彰顯著我國(guó)在科技創(chuàng)新方面的卓越成就。2024 年 6 月 24 日，2023 年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂盛大舉行，眾多杰出的科研成果和優(yōu)秀的科學(xué)家們?cè)诖耸斋@了屬于他們的榮耀。
2024 年 6 月 24 日，2023 年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂隆重舉行。
今年的獎(jiǎng)項(xiàng)呈現(xiàn)出豐富多樣的分布，具有諸多顯著的獲獎(jiǎng)特點(diǎn)：
國(guó)家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)授予 2 人，分別是武漢大學(xué)的李德仁院士和清華大學(xué)的薛其坤院士。
國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)共有 49 項(xiàng)，其中一等獎(jiǎng) 1 項(xiàng)，二等獎(jiǎng) 48 項(xiàng)。
國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)達(dá) 62 項(xiàng)，包含一等獎(jiǎng) 8 項(xiàng)，二等獎(jiǎng) 54 項(xiàng)。
國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)共計(jì) 139 項(xiàng)，其中特等獎(jiǎng) 3 項(xiàng)，一等獎(jiǎng) 16 項(xiàng)，二等獎(jiǎng) 120 項(xiàng)。
此外，中華人民共和國(guó)國(guó)際科學(xué)技術(shù)合作獎(jiǎng)的獲得者有 10 人。
三安集成
榮膺國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)
其中，三安光電的全資子公司三安集成與西安電子科技大學(xué)、華為、中興通訊、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所等單位攜手完成的“高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目，榮獲 2023 年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。
該項(xiàng)目成功攻克了高品質(zhì)氮化鎵（GaN）射頻功放芯片在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面的技術(shù)難題，促使 GaN 器件在 5G 移動(dòng)基站實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，確保我國(guó)基站用 GaN 器件及工藝處于國(guó)際領(lǐng)先水平。
三安集成在該項(xiàng)目中承擔(dān)了氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化工作，構(gòu)建了自主工藝技術(shù)平臺(tái)。通過(guò)與高校、通訊龍頭企業(yè)的協(xié)同合作，攻克了 5G 移動(dòng)通信基站用寬帶、高效、高線性功率放大器的核心工藝技術(shù)，形成了具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氮化鎵功放芯片制造工藝技術(shù)解決方案，并通過(guò)了 5G 組件和系統(tǒng)的應(yīng)用驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了在客戶(hù)端的穩(wěn)定批量供貨。
5G 技術(shù)對(duì)射頻功放的工作頻率、能效、帶寬和線性度均提出了更為嚴(yán)苛的要求。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基射頻器件具有更出色的高頻特性，被業(yè)界視作目前 5G 基站功放的最優(yōu)解決方案。該項(xiàng)目成果有效滿(mǎn)足了我國(guó) 5G 基站對(duì)高性能氮化鎵功放的迫切需求，為我國(guó)在新一代移動(dòng)通信技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)國(guó)際領(lǐng)先地位奠定了關(guān)鍵基礎(chǔ)，并取得了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。據(jù)中國(guó)信通院白皮書(shū)發(fā)布的信息，截至 2023 年 10 月底，國(guó)內(nèi)已部署開(kāi)通 5G 基站累計(jì) 321.5 萬(wàn)個(gè)，估算 2023 年 5G 直接帶動(dòng)經(jīng)濟(jì)總產(chǎn)出 1.86 萬(wàn)億元，間接帶動(dòng)總產(chǎn)出 4.24 萬(wàn)億元。
三安集成成立于 2014 年，持續(xù)投入氮化鎵、砷化鎵射頻芯片的制程研發(fā)和制造，在廈門(mén)和泉州布局了大規(guī)模射頻芯片產(chǎn)業(yè)鏈。其主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋氮化鎵射頻功放代工、砷化鎵射頻功放代工、射頻封測(cè)代工和濾波器產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域包括民用基站、智能手機(jī)、Wi-Fi 和物聯(lián)網(wǎng)等，在國(guó)內(nèi)射頻芯片制造領(lǐng)域占據(jù)重要地位。據(jù)了解，三安集成作為全球通信基站廠商的主要供應(yīng)商之一，依據(jù)公司供應(yīng)的晶圓數(shù)量計(jì)算，已占據(jù)全球約 20%的份額。
值得一提的是，此次獲獎(jiǎng)已是三安光電第二次榮獲國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。2020 年 1 月，三安光電憑借“高光效長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目，與中國(guó)科學(xué)院等共同榮膺 2019 年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。
杭州士蘭微電子
榮獲國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)
另外，杭州士蘭微電子股份有限公司參與的“功率 MOS 與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項(xiàng)目斬獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。該項(xiàng)目的主要完成單位包括電子科技大學(xué)、上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司、華潤(rùn)微電子控股有限公司。
該項(xiàng)目突破了功率高壓 MOS 集成耐壓的瓶頸，通過(guò)產(chǎn)學(xué)研合作，創(chuàng)建了三類(lèi)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平的功率半導(dǎo)體制造量產(chǎn)工藝平臺(tái)，為全球 200 余家企業(yè)提供了芯片制造服務(wù)，增強(qiáng)了我國(guó)功率高端芯片的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)了中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
士蘭微電子成立于 1997 年，2003 年 3 月在上海證券交易所主板上市，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)主要的綜合型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造（IDM）企業(yè)之一。公司專(zhuān)注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和封裝，其技術(shù)水平、營(yíng)業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項(xiàng)指標(biāo)在國(guó)內(nèi)同行中均位居前列。
結(jié)尾
國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)不僅是對(duì)過(guò)去一年科技創(chuàng)新成果的肯定，更是對(duì)未來(lái)科技創(chuàng)新的激勵(lì)與引領(lǐng)。相信在這些優(yōu)秀成果和杰出科學(xué)家的帶動(dòng)下，我國(guó)的科技事業(yè)將不斷取得新的突破，為實(shí)現(xiàn)中華民族偉大復(fù)興的中國(guó)夢(mèng)提供強(qiáng)大的科技支撐。讓我們共同期待更多的科技創(chuàng)新成果涌現(xiàn)，為人類(lèi)的進(jìn)步和發(fā)展貢獻(xiàn)中國(guó)智慧和力量。
2024 年 6 月 24 日，2023 年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂隆重舉行。
今年的獎(jiǎng)項(xiàng)呈現(xiàn)出豐富多樣的分布，具有諸多顯著的獲獎(jiǎng)特點(diǎn)：
國(guó)家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)授予 2 人，分別是武漢大學(xué)的李德仁院士和清華大學(xué)的薛其坤院士。
國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)共有 49 項(xiàng)，其中一等獎(jiǎng) 1 項(xiàng)，二等獎(jiǎng) 48 項(xiàng)。
國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)達(dá) 62 項(xiàng)，包含一等獎(jiǎng) 8 項(xiàng)，二等獎(jiǎng) 54 項(xiàng)。
國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)共計(jì) 139 項(xiàng)，其中特等獎(jiǎng) 3 項(xiàng)，一等獎(jiǎng) 16 項(xiàng)，二等獎(jiǎng) 120 項(xiàng)。
此外，中華人民共和國(guó)國(guó)際科學(xué)技術(shù)合作獎(jiǎng)的獲得者有 10 人。
三安集成
榮膺國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)
其中，三安光電的全資子公司三安集成與西安電子科技大學(xué)、華為、中興通訊、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所等單位攜手完成的“高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目，榮獲 2023 年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。
該項(xiàng)目成功攻克了高品質(zhì)氮化鎵（GaN）射頻功放芯片在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面的技術(shù)難題，促使 GaN 器件在 5G 移動(dòng)基站實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，確保我國(guó)基站用 GaN 器件及工藝處于國(guó)際領(lǐng)先水平。
三安集成在該項(xiàng)目中承擔(dān)了氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化工作，構(gòu)建了自主工藝技術(shù)平臺(tái)。通過(guò)與高校、通訊龍頭企業(yè)的協(xié)同合作，攻克了 5G 移動(dòng)通信基站用寬帶、高效、高線性功率放大器的核心工藝技術(shù)，形成了具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氮化鎵功放芯片制造工藝技術(shù)解決方案，并通過(guò)了 5G 組件和系統(tǒng)的應(yīng)用驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了在客戶(hù)端的穩(wěn)定批量供貨。
5G 技術(shù)對(duì)射頻功放的工作頻率、能效、帶寬和線性度均提出了更為嚴(yán)苛的要求。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基射頻器件具有更出色的高頻特性，被業(yè)界視作目前 5G 基站功放的最優(yōu)解決方案。該項(xiàng)目成果有效滿(mǎn)足了我國(guó) 5G 基站對(duì)高性能氮化鎵功放的迫切需求，為我國(guó)在新一代移動(dòng)通信技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)國(guó)際領(lǐng)先地位奠定了關(guān)鍵基礎(chǔ)，并取得了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。據(jù)中國(guó)信通院白皮書(shū)發(fā)布的信息，截至 2023 年 10 月底，國(guó)內(nèi)已部署開(kāi)通 5G 基站累計(jì) 321.5 萬(wàn)個(gè)，估算 2023 年 5G 直接帶動(dòng)經(jīng)濟(jì)總產(chǎn)出 1.86 萬(wàn)億元，間接帶動(dòng)總產(chǎn)出 4.24 萬(wàn)億元。
三安集成成立于 2014 年，持續(xù)投入氮化鎵、砷化鎵射頻芯片的制程研發(fā)和制造，在廈門(mén)和泉州布局了大規(guī)模射頻芯片產(chǎn)業(yè)鏈。其主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋氮化鎵射頻功放代工、砷化鎵射頻功放代工、射頻封測(cè)代工和濾波器產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域包括民用基站、智能手機(jī)、Wi-Fi 和物聯(lián)網(wǎng)等，在國(guó)內(nèi)射頻芯片制造領(lǐng)域占據(jù)重要地位。據(jù)了解，三安集成作為全球通信基站廠商的主要供應(yīng)商之一，依據(jù)公司供應(yīng)的晶圓數(shù)量計(jì)算，已占據(jù)全球約 20%的份額。
值得一提的是，此次獲獎(jiǎng)已是三安光電第二次榮獲國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。2020 年 1 月，三安光電憑借“高光效長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目，與中國(guó)科學(xué)院等共同榮膺 2019 年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。
杭州士蘭微電子
榮獲國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)
另外，杭州士蘭微電子股份有限公司參與的“功率 MOS 與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項(xiàng)目斬獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。該項(xiàng)目的主要完成單位包括電子科技大學(xué)、上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司、華潤(rùn)微電子控股有限公司。
該項(xiàng)目突破了功率高壓 MOS 集成耐壓的瓶頸，通過(guò)產(chǎn)學(xué)研合作，創(chuàng)建了三類(lèi)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平的功率半導(dǎo)體制造量產(chǎn)工藝平臺(tái)，為全球 200 余家企業(yè)提供了芯片制造服務(wù)，增強(qiáng)了我國(guó)功率高端芯片的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)了中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
士蘭微電子成立于 1997 年，2003 年 3 月在上海證券交易所主板上市，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)主要的綜合型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造（IDM）企業(yè)之一。公司專(zhuān)注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和封裝，其技術(shù)水平、營(yíng)業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項(xiàng)指標(biāo)在國(guó)內(nèi)同行中均位居前列。
結(jié)尾
國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)不僅是對(duì)過(guò)去一年科技創(chuàng)新成果的肯定，更是對(duì)未來(lái)科技創(chuàng)新的激勵(lì)與引領(lǐng)。相信在這些優(yōu)秀成果和杰出科學(xué)家的帶動(dòng)下，我國(guó)的科技事業(yè)將不斷取得新的突破，為實(shí)現(xiàn)中華民族偉大復(fù)興的中國(guó)夢(mèng)提供強(qiáng)大的科技支撐。讓我們共同期待更多的科技創(chuàng)新成果涌現(xiàn)，為人類(lèi)的進(jìn)步和發(fā)展貢獻(xiàn)中國(guó)智慧和力量。
